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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP 下载数据手册未分类	+1：￥4.425544 +10：￥3.671563 +30：￥3.289108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.755052 +10：￥6.361475 +100：￥4.946907 +2500：￥3.215489 +5000：￥3.062371	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.970912 +10：￥15.561855 +100：￥12.101445 +2500：￥7.865939 +5000：￥7.491371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP 下载数据手册未分类	+1：￥18.75149 +10：￥15.343611 +100：￥10.011665 +500：￥9.06594 +1000：￥8.201739	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9014PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP 下载数据手册未分类	+1：￥9.736178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFD9014PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 660mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	270 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	4-HVMDIP
封装/外壳:	4-DIP（0.300，7.62mm）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）