IPD25N06S4L30ATMA2厂家价格_数据手册

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	IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.706759 +10：￥9.13792 +30：￥7.614893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.482743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.517053 +5000：￥2.397206 +12500：￥2.286585 +25000：￥2.282204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.157379 +5000：￥5.864199 +12500：￥5.593592 +25000：￥5.582875	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.859091 +10：￥12.173026 +100：￥9.472672 +500：￥8.029626 +1000：￥6.540859	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-11
IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.859091 +10：￥12.173026 +100：￥9.472672 +500：￥8.029626 +1000：￥6.540859	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-11

Mouser

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	IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 下载数据手册未分类	+1：￥16.834476 +10：￥13.908873 +100：￥10.819829 +500：￥9.16907 +1000：￥7.469277	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD25N06S4L30ATMA2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥12.239766 +10：￥10.451922 +25：￥10.063696 +50：￥8.493208 +100：￥7.939139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD25N06S4L30ATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1220 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	29W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-11
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）