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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.776 +10：￥5.7596 +30：￥4.7432 +100：￥4.235 +500：￥3.8962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥4.491108 +10：￥3.715272 +30：￥3.332817 +100：￥2.950363 +500：￥2.414927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥15.430563 +100：￥12.025164 +500：￥9.91814 +1000：￥7.832345 +2000：￥6.894732	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.060876 +4000：￥3.034482 +6000：￥3.008088 +8000：￥2.981694 +10000：￥2.955301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.294101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.611979	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.251111 +10：￥11.819992 +100：￥9.220123 +500：￥7.616209 +1000：￥6.012825	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.251111 +10：￥11.819992 +100：￥9.220123 +500：￥7.616209 +1000：￥6.012825	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

Mouser

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	IRFR014TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥15.256262 +10：￥13.531641 +100：￥9.236674 +500：￥7.711047 +1000：￥6.566826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFR014TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）