IPW60R190E6FKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R190E6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥58.802491 +10：￥39.201701 +30：￥32.668064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 630µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPW60R190E6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.721456 +10：￥19.088359 +100：￥15.444165 +500：￥13.728199 +1000：￥11.754703	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 630µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R190E6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥72.974491 +30：￥40.724968 +120：￥33.629003 +510：￥28.422722 +1020：￥27.365435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 630µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW60R190E6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN 下载数据手册未分类	+1：￥13.573102	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 9.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 630µA Supplier Device Package： PG-TO247-3-1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 100 V

Mouser

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	IPW60R190E6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 下载数据手册未分类	+240：￥31.673326 +480：￥29.51755	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 630µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPW60R190E6FKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥59.872573 +10：￥50.372209 +25：￥47.642219 +50：￥47.15862 +100：￥38.656653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW60R190E6FKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 630µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	63 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	151W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3-1
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）