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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.368431 +10：￥19.887631 +30：￥19.570741 +90：￥19.25385	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 360µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 101W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.395686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 360µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 101W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.35624 +10：￥22.751943 +100：￥18.639478 +500：￥15.931115	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 360µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 101W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥62.028082 +10：￥55.657281 +100：￥45.597102 +500：￥38.971727	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 360µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 101W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 下载数据手册	+1：￥65.349734 +10：￥58.801117 +100：￥48.159615 +240：￥48.023187 +480：￥41.065282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 360µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 101W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW80R280P7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册	+240：￥32.731913 +510：￥29.443246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW80R280P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	280 毫欧 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 360µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1200 pF 500 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	101W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3-41
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）