IPC50N04S55R8ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.702999 +10：￥7.80208 +30：￥6.501693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.751968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥3.478167 +10000：￥3.420198 +15000：￥3.333244 +25000：￥3.275274	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥2.205518 +10000：￥2.103716 +25000：￥2.099686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥5.395279 +10000：￥5.146248 +25000：￥5.136388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
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Mouser

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	IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 下载数据手册未分类	+1：￥15.516217 +10：￥12.78863 +100：￥9.946713 +500：￥8.427756 +1000：￥6.484146	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1090 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPC50N04S55R8ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.8 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.4V 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1090 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	42W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-33
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）