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	IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.23587 +10：￥2.06388 +30：￥2.029482 +100：￥1.926288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.243721 +10：￥4.1624 +30：￥3.468707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.168289 +10：￥6.447089 +30：￥6.04278	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.904251 +59：￥4.629581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册未分类	+50：￥9.556111 +100：￥8.605683 +250：￥8.058353 +500：￥7.840493 +1000：￥7.078319	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册未分类	+1：￥5.90076 +75：￥5.796299 +250：￥5.691949 +1000：￥5.587489 +3000：￥5.535202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.377637 +10：￥7.67577 +100：￥5.971008 +500：￥5.061377 +1000：￥4.123035	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.940186 +10：￥18.776967 +100：￥14.606668 +500：￥12.381471 +1000：￥10.086036	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFD110PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	540 毫欧 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	4-HVMDIP
封装/外壳:	4-DIP（0.300，7.62mm）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册未分类	+50：￥9.556111 +100：￥8.605683 +250：￥8.058353 +500：￥7.840493 +1000：￥7.078319	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册未分类	+1：￥5.90076 +75：￥5.796299 +250：￥5.691949 +1000：￥5.587489 +3000：￥5.535202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）