IPB60R099C6ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.065559 +10：￥74.2214 +30：￥59.37712 +100：￥49.480893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 119 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2660 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB60R099C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.02453	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 119 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2660 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB60R099C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 119 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2660 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB60R099C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥57.27124 +2000：￥55.150035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 119 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2660 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB60R099C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥100.915234 +10：￥91.206396 +100：￥75.513511 +500：￥65.755915	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB60R099C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥100.915234 +10：￥91.206396 +100：￥75.513511 +500：￥65.755915	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

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	IPB60R099C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 119 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2660 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥105.344408 +10：￥94.483839 +25：￥93.547583 +100：￥56.471844	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB60R099C6ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	37.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	99 毫欧 18.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1.21mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	119 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2660 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	278W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）