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HFA3127BZ_晶体管射频

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

晶体管射频

+1:

¥177.309914

+10:

¥162.925681

+100:

¥137.600962

+500:

¥132.997461

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 5 NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 8GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 3.5dB 1GHz

增益: -

功率 - 最大值: 150mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA, 2V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 65mA

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 16-SOIC

温度: 150°C (TJ)

Mouser
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HFA3127BZ_未分类
HFA3127BZ

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

未分类

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品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 5 NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 8GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 3.5dB 1GHz

增益: -

功率 - 最大值: 150mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA, 2V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 65mA

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 16-SOIC

温度: 150°C (TJ)

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HFA3127BZ_未分类
HFA3127BZ
授权代理品牌

芯片, 晶体管阵列

未分类

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暂无参数

HFA3127BZ参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 5 NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
频率 - 跃迁: 8GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 3.5dB 1GHz
增益: -
功率 - 最大值: 150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA, 2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 65mA
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 16-SOIC
温度: 150°C (TJ)