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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FS225R12OE4BOSA1_晶体管IGBT
FS225R12OE4BOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 350A 1250W

晶体管IGBT

+1:

¥7337.246569

+200:

¥2839.418328

+500:

¥2739.630498

+1000:

¥2690.326656

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: EconoPACK™+

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 全桥反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 350 A

功率 - 最大值: 1250 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,225A

电流 - 集电极截止(最大值): 3 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 125°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 125°C

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FS225R12OE4BOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 350A 1250W

晶体管IGBT

+1:

¥7204.737842

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: EconoPACK™+

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 全桥反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 350 A

功率 - 最大值: 1250 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,225A

电流 - 集电极截止(最大值): 3 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 125°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 125°C

FS225R12OE4BOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列: EconoPACK™+
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 350 A
功率 - 最大值: 1250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值): 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 125°C