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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.00275 +10：￥22.001914 +30：￥18.334888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.197046 +10：￥28.946338 +30：￥26.422139 +100：￥23.865158 +500：￥22.685013	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册未分类	+10：￥21.088823 +100：￥16.952058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 36mOhm @ 16A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D²PAK (TO-263) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2800 pF @ 25 V
FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册未分类	+800：￥10.082548 +1600：￥9.80246 +3200：￥9.52237 +4800：￥9.242281 +6400：￥8.962303	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB2552 授权代理品牌	FDB2552 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.790541 +10：￥8.424269 +200：￥8.057996 +800：￥7.911441	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDB2552 ISC(无锡固电) 授权代理品牌	FDB2552 ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥13.698756 +800：￥9.132504 +2400：￥8.973678 +4000：￥8.735438 +8000：￥8.4972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥7.259096 +1600：￥6.159227 +2400：￥5.851303 +5600：￥5.631284	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥17.757671 +1600：￥15.067102 +2400：￥14.313837 +5600：￥13.775611	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.810098 +10：￥26.367037 +100：￥20.986183	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB

FDB2552参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Ta），37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	36 毫欧 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	51 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册未分类	+10：￥21.088823 +100：￥16.952058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 36mOhm @ 16A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D²PAK (TO-263) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2800 pF @ 25 V
FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB2552 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB 下载数据手册未分类	+800：￥10.082548 +1600：￥9.80246 +3200：￥9.52237 +4800：￥9.242281 +6400：￥8.962303	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB2552 授权代理品牌	FDB2552 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.790541 +10：￥8.424269 +200：￥8.057996 +800：￥7.911441	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDB2552 ISC(无锡固电) 授权代理品牌	FDB2552 ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥13.698756 +800：￥9.132504 +2400：￥8.973678 +4000：￥8.735438 +8000：￥8.4972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数