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FDMS3669S_未分类
FDMS3669S
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MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

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系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Power56

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FDMS3669S_射频晶体管
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晶体管
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品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-56-8

系列： FDMS3669S

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 60 A

Rds On-漏源导通电阻： 10 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 34 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标名： Power Stage PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 3 ns

正向跨导 - 最小值： 113 S

高度： 1.1 mm

长度： 6 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 3 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 24 ns

典型接通延迟时间： 9 ns

宽度： 5 mm

单位重量： 171 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

FDMS3669S参数规格

属性 参数值
系列: PowerTrench®
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: Power56