F423MR12W1M1B11BOMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	F423MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER EASY 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥2922.312598 +200：￥1130.895954 +500：￥1091.153473 +1000：￥1071.517169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟道配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A 功率 - 最大值： 0.2 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： - 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 3.68 nF 800 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： AG-EASY1BM-2 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	F423MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER EASY 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥1179.643	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟道配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A 功率 - 最大值： 0.2 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： - 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 3.68 nF 800 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： AG-EASY1BM-2 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	F423MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER EASY 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥1748.788897 +5：￥1546.185305 +10：￥1439.551836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟道配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A 功率 - 最大值： 0.2 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： - 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 3.68 nF 800 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： AG-EASY1BM-2 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	F423MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER EASY 下载数据手册晶体管IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟道配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A 功率 - 最大值： 0.2 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： - 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 3.68 nF 800 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： AG-EASY1BM-2 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	F423MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER EASY 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥2231.435481	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟道配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A 功率 - 最大值： 0.2 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： - 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 3.68 nF 800 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： AG-EASY1BM-2 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	F423MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER EASY 下载数据手册	+1：￥2550.702688 +10：￥2389.007378 +24：￥2299.176649 +48：￥2263.407687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟道配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A 功率 - 最大值： 0.2 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： - 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 3.68 nF 800 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： AG-EASY1BM-2 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	F423MR12W1M1B11BOMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray 下载数据手册未分类	+1：￥1946.996363	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin Tray 下载数据手册未分类	+1：￥1755.830148	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET 1.2KVA, 50V, 模块下载数据手册未分类	+1：￥1099.730386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥1393.163944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

F423MR12W1M1B11BOMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	托盘
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟道
配置:	全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	50 A
功率 - 最大值:	0.2 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	-
电流 - 集电极截止（最大值）:	-
不同 Vce 时输入电容 (Cies):	3.68 nF 800 V
输入:	标准
NTC 热敏电阻:	是
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	模块
供应商器件封装:	AG-EASY1BM-2
温度:	-40°C # 150°C（TJ）