品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®, SyncFET™

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A，8.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 15V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®, SyncFET™

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A，8.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 15V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®, SyncFET™

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A，8.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 15V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 900mW

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.9A, 8.2A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 800pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 21mOhm @ 6.9A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12nC @ 5V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOIC