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搜索 FGL60N100BNTDTU 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGL60N100BNTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1000V 60A 180W TO264 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥25.86465 +10：￥24.927525 +100：￥22.11615 +500：￥21.553875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 和沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，60A 功率 - 最大值： 180 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 275 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 140ns/630ns 测试条件： 600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装： TO-264-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGL60N100BNTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1000V 60A 180W TO264 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥103.066011 +10：￥86.292651 +25：￥80.479344 +100：￥75.398163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 和沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，60A 功率 - 最大值： 180 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 275 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 140ns/630ns 测试条件： 600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装： TO-264-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGL60N100BNTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1000V 60A 180W TO264 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥36.024604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 和沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，60A 功率 - 最大值： 180 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 275 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 140ns/630ns 测试条件： 600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装： TO-264-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FGL60N100BNTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1000V 60A 180W TO264 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 和沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，60A 功率 - 最大值： 180 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 275 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 140ns/630ns 测试条件： 600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装： TO-264-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGL60N100BNTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1000V 60A 180W TO264 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 IGBT 类型： NPT 和沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.9V 15V，60A 功率 - 最大值： 180 W 开关能量： - 输入类型：标准栅极电荷： 275 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 140ns/630ns 测试条件： 600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装： TO-264-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGL60N100BNTDTU ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1000V 60A 180W TO264 下载数据手册晶体管	+：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-264-3 系列： FGL60N100BNTD 产品种类： IGBT 晶体管技术： Si 安装风格： Through Hole 配置： Single 集电极—发射极最大电压 VCEO： 1000 V 集电极—射极饱和电压： 1.5 V 栅极/发射极最大电压： 25 V 在25 C的连续集电极电流： 60 A Pd-功率耗散： 180 W 商标： onsemi / Fairchild 集电极连续电流： 60 A 集电极最大连续电流 Ic： 60 A 栅极—射极漏泄电流： +/- 500 nA 高度： 26 mm 长度： 20 mm 产品类型： IGBT Transistors 宽度： 5 mm 零件号别名： FGL60N100BNTDTU_NL 单位重量： 6.756 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGL60N100BNTDTU 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube 下载数据手册未分类	+375：￥53.185324	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FGL60N100BNTDTU参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
IGBT 类型:	NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.9V 15V，60A
功率 - 最大值:	180 W
开关能量:	-
输入类型:	标准
栅极电荷:	275 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	140ns/630ns
测试条件:	600V，60A，51 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	1.2 µs
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装:	TO-264-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）