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	FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.50296 +10：￥39.66864 +30：￥33.0572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1940 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 181W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220 下载数据手册	+1：￥28.454611 +10：￥24.651921 +30：￥22.389976 +100：￥20.106177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1940 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 181W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥10.169874	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1940 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 181W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥10.169874	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1940 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 181W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥24.878207	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1940 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 181W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 下载数据手册未分类	+50：￥50.990278 +100：￥44.191133 +250：￥41.924927 +500：￥37.619111 +1250：￥31.727005	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 125mOhm @ 12A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 2.4mA Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1940 pF @ 400 V
FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥60.027535 +10：￥53.932024 +100：￥44.191133	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 125mOhm @ 12A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 2.4mA Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1940 pF @ 400 V
FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥63.793576 +10：￥57.332779 +100：￥46.972431	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 125mOhm @ 12A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 2.4mA Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1940 pF @ 400 V
FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 125mOhm @ 12A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 2.4mA Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1940 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP125N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220 下载数据手册未分类	+1：￥70.394625 +10：￥59.124952 +50：￥55.858379 +100：￥47.855279 +250：￥45.078693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

FCP125N65S3参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 2.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	46 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1940 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	181W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）