FS75R07W2E3B11ABOMA1厂家价格_数据手册

搜索 FS75R07W2E3B11ABOMA1 共 5 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS75R07W2E3B11ABOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULES 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥533.61	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 95 A 功率 - 最大值： 275 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 4.6 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： ACEPACK™ 2 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS75R07W2E3B11ABOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULES 下载数据手册晶体管IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 95 A 功率 - 最大值： 275 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 4.6 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： ACEPACK™ 2 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS75R07W2E3B11ABOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULES 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥851.459184 +15：￥774.10723 +30：￥748.301084 +90：￥696.695186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 95 A 功率 - 最大值： 275 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 4.6 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： ACEPACK™ 2 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	FS75R07W2E3B11ABOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULES 下载数据手册未分类	+6：￥719.41018	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： Module Mounting Type： Chassis Mount Input： Standard Configuration： Three Phase Inverter Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 1.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor： Yes Supplier Device Package： ACEPACK™ 2 IGBT Type： Trench Field Stop Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 650 V Power - Max： 275 W Current - Collector Cutoff (Max)： 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce： 4.6 nF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS75R07W2E3B11ABOMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULES 下载数据手册晶体管	+15：￥885.003486	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 95 A 功率 - 最大值： 275 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 4.6 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装： ACEPACK™ 2 温度： -40°C # 150°C（TJ）

FS75R07W2E3B11ABOMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	托盘
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
配置:	三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	95 A
功率 - 最大值:	275 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	1.9V 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）:	50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):	4.6 nF 25 V
输入:	标准
NTC 热敏电阻:	是
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	模块
供应商器件封装:	ACEPACK™ 2
温度:	-40°C # 150°C（TJ）