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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.791763 +10：￥3.157981 +30：￥2.84109 +100：￥2.524199 +500：￥2.338436	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，7.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥2.871836 +100：￥2.871836 +200：￥2.871836 +1000：￥2.871836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，7.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册未分类	+97：￥8.503315 +100：￥6.621092 +500：￥5.473034 +1000：￥4.378476 +2500：￥4.164842	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.528788 +10：￥8.585406 +100：￥6.685023 +500：￥5.525921 +1000：￥4.420688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，7.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.764019 +100：￥7.611961 +500：￥6.296161 +1000：￥5.029566 +2500：￥4.623771	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，7.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥4.063611 +5000：￥4.028535 +7500：￥3.993575 +10000：￥3.958499 +12500：￥3.923423	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，7.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.295022	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，7.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥5.614231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，7.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.251111 +10：￥11.833242 +100：￥9.222774 +500：￥7.61939 +1000：￥6.015211	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench®, SyncFET™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6986AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.251111 +10：￥11.833242 +100：￥9.222774 +500：￥7.61939 +1000：￥6.015211	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench®, SyncFET™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

FDS6986AS参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®, SyncFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A，7.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	720pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）