![FDS4935BZ_未分类]() | FDS4935BZ | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
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 | FDS4935BZ | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC 射频晶体管 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDS4935BZ | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC 射频晶体管 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDS4935BZ | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC 射频晶体管 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDS4935BZ | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC 射频晶体管 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDS4935BZ | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC 射频晶体管 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： 在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
