品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®, SyncFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 19A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3165 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®, SyncFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 19A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3165 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-PowerWDFN

Mounting Type： Surface Mount

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.4mOhm @ 19A, 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA

Supplier Device Package： 8-MLP (3.3x3.3)

Part Status： Active

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 52 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3165 pF @ 15 V

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerWDFN

Mounting Type： Surface Mount

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.4mOhm @ 19A, 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA

Supplier Device Package： 8-MLP (3.3x3.3)

Part Status： Active

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 52 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3165 pF @ 15 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-33-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 76 A

Rds On-漏源导通电阻： 4.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.6 V

Qg-栅极电荷： 37 nC

Pd-功率耗散： 36 W

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 4 ns

正向跨导 - 最小值： 106 S

高度： 0.8 mm

长度： 3.3 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 5 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 30 ns

典型接通延迟时间： 11 ns

宽度： 3.3 mm

零件号别名： FDMC0310AS_F127

单位重量： 300 mg

温度： - 55 C~+ 150 C