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FQP14N30_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQP14N30
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国内：1~2 天

系列： QFET®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

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FQP14N30_未分类
FQP14N30
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FQP14N30 VBSEMI/微碧半导体

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未分类
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FQP14N30_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQP14N30
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： QFET®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

Digi-Key
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FQP14N30_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQP14N30
ON(安森美)
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￥17.827492

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￥11.821635

+250：

￥11.518685

库存： 0

货期：7~10 天

系列： QFET®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

Mouser
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FQP14N30_晶体管
FQP14N30
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220

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晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FQP14N30

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 300 V

Id-连续漏极电流： 9.1 A

Rds On-漏源导通电阻： 290 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 40 nC

Pd-功率耗散： 147 W

通道模式： Enhancement

商标名： QFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 70 ns

正向跨导 - 最小值： 9.5 S

高度： 16.3 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 145 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 45 ns

典型接通延迟时间： 22 ns

宽度： 4.7 mm

零件号别名： FQP14N30_NL

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 150 C

FQP14N30参数规格

属性 参数值
系列: QFET®
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3