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自营 现货库存
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FCU850N80Z
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
+1：

￥4.556672

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￥3.769908

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￥3.376526

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￥2.994072

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￥2.753672

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： SuperFET® II

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850mOhm 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 75W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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FCU850N80Z_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCU850N80Z
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥12.644141

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￥11.346453

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￥9.117647

+500：

￥7.49121

+1000：

￥6.207054

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： SuperFET® II

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850mOhm 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 75W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FCU850N80Z_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCU850N80Z
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥30.93092

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￥27.75643

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￥22.304178

+500：

￥18.325485

+1000：

￥15.184098

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： SuperFET® II

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850mOhm 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 75W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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FCU850N80Z_晶体管
FCU850N80Z
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

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晶体管
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￥36.577791

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￥32.887925

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￥26.470769

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￥21.818331

+1000：

￥17.968038

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-251-3

系列： FCU850N80Z

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 800 V

Id-连续漏极电流： 6 A

Rds On-漏源导通电阻： 850 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 22 nC

Pd-功率耗散： 75 W

通道模式： Enhancement

商标名： SuperFET II

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 4.5 ns

高度： 6.3 mm

长度： 6.8 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 10 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 40 ns

典型接通延迟时间： 16 ns

宽度： 2.5 mm

单位重量： 340 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FCU850N80Z_未分类
FCU850N80Z
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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未分类
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￥16.54241

+2000：

￥15.218846

+2500：

￥13.225646

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
FCU850N80Z_未分类
FCU850N80Z
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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未分类
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￥13.457802

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￥1.584468

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货期：7~10 天

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FCU850N80Z参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: SuperFET® II
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 850mOhm 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1315 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
温度: -55°C # 150°C (TJ)