锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FDMC863207 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC86320_未分类
FDMC86320
授权代理品牌

MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP

未分类

+1:

¥15.035924

+200:

¥5.824235

+500:

¥5.616617

+1000:

¥5.518271

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.7A(Ta),22A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.7 毫欧 10.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2640 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),40W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC86320_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥5.426334

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.7A(Ta),22A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.7 毫欧 10.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2640 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),40W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC86320_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥11.009214

+6000:

¥10.749738

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.7A(Ta),22A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.7 毫欧 10.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2640 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),40W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMC86320_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥24.094238

+10:

¥21.61068

+100:

¥17.370092

+500:

¥14.271204

+1000:

¥11.824711

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (3.3x3.3)

FDMC86320_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (3.3x3.3)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC86320_未分类
FDMC86320
授权代理品牌

MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP

未分类

+1:

¥26.722501

+10:

¥24.105349

+25:

¥22.727901

+100:

¥19.422025

+500:

¥15.978403

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC86320_未分类
FDMC86320
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R

未分类

+3000:

¥12.430457

+6000:

¥12.324598

+9000:

¥11.928714

+12000:

¥11.809805

+15000:

¥11.690894

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMC86320参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.7A(Ta),22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.7 毫欧 10.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2640 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),40W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)