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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD2670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥14.872014 +200：￥5.758671 +500：￥5.56198 +1000：￥5.452708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1228 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），70W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD2670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 下载数据手册未分类	+1605：￥5.640446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1228 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），70W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD2670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.738819 +5000：￥5.523122 +12500：￥5.340244	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1228 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），70W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD2670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.91666 +5000：￥9.543937 +12500：￥9.227923	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1228 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），70W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD2670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.012702 +10：￥18.269298 +100：￥14.539577 +500：￥12.302737 +1000：￥10.438622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
FDD2670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.012702 +10：￥18.269298 +100：￥14.539577 +500：￥12.302737 +1000：￥10.438622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD2670 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥27.987349 +10：￥23.243731 +100：￥18.500113 +250：￥18.183871 +500：￥15.495821	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD2670 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥11.504358 +5000：￥11.431005 +10000：￥11.150699	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD2670 onsemi(安森美) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2500：￥7.64577 +5000：￥7.347883	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDD2670参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	130 毫欧 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	43 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1228 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），70W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）