搜索 FQPF7N65C 共 8 条相关记录
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FQPF7N65C | +1000: ¥9.908699 | 暂无参数 | |||
FQPF7N65C | +1: ¥18.584266 +10: ¥17.462624 +25: ¥16.541324 +100: ¥15.460517 +500: ¥13.953511 | 暂无参数 |
FQPF7N65C参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 管件,管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.4 欧姆 3.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 36 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1245 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 52W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220F-3 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |