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自营 现货库存
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FQPF7N65C_未分类
FQPF7N65C
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 7A TO220F

未分类

+1:

¥14.325969

+10:

¥12.603492

+30:

¥11.511189

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1245 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 52W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQPF7N65C_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥11.259105

+10:

¥10.096526

+100:

¥8.115723

+500:

¥6.667641

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1245 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 52W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQPF7N65C_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥19.88715

+10:

¥17.862922

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1245 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 52W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQPF7N65C_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥21.89954

+10:

¥19.650398

+100:

¥15.792528

+500:

¥12.975181

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装: TO-220F

FQPF7N65C_未分类
FQPF7N65C
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

未分类

+1:

¥11.83759

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3 Full Pack

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 52W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220F

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQPF7N65C_未分类
FQPF7N65C
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 7A TO220F

未分类

+1:

¥19.863991

+10:

¥18.639499

+25:

¥17.959224

+100:

¥16.462623

+500:

¥14.829966

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 1000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQPF7N65C_未分类
FQPF7N65C
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

未分类

+1000:

¥9.908699

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FQPF7N65C_未分类
FQPF7N65C
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

未分类

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¥18.584266

+10:

¥17.462624

+25:

¥16.541324

+100:

¥15.460517

+500:

¥13.953511

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FQPF7N65C参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件,管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1245 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 52W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)