| FQPF9N50CF | MOSFET N-CH 500V 9A TO220F 未分类 | | | 品牌: onsemi 包装: 管件 封装/外壳: * 系列: FRFET® 零件状态: 最后售卖 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V Vgs(最大值): ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 44W(Tc) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F-3 封装/外壳: TO-220-3 整包 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| FQPF9N50CF | FQPF9N50CF VBSEMI/台湾微碧半导体 未分类 | | | 暂无参数 |
| FQPF9N50CF | MOSFET N-CH 500V 9A TO220F 未分类 | | | Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V FET Feature: - Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
| FQPF9N50CF | MOSFET N-CH 500V 9A TO220F 未分类 | | | 品牌: onsemi 包装: 管件 封装/外壳: * 系列: FRFET® 零件状态: 最后售卖 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V Vgs(最大值): ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 44W(Tc) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F-3 封装/外壳: TO-220-3 整包 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| FQPF9N50CF | MOSFET N-CH 500V 9A TO220F 未分类 | | | Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V FET Feature: - Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
| FQPF9N50CF | | | | 品牌: onsemi 包装: 管件 封装/外壳: * 系列: FRFET® 零件状态: 最后售卖 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V Vgs(最大值): ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 44W(Tc) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F-3 封装/外壳: TO-220-3 整包 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| FQPF9N50CF | | | | 品牌: onsemi 包装: 管件 封装/外壳: * 系列: FRFET® 零件状态: 最后售卖 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V Vgs(最大值): ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 44W(Tc) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F-3 封装/外壳: TO-220-3 整包 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| FQPF9N50CF | | | | 品牌: onsemi 包装: 管件 封装/外壳: * 系列: FRFET® 零件状态: 最后售卖 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V Vgs(最大值): ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 44W(Tc) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F-3 封装/外壳: TO-220-3 整包 温度: -55°C # 150°C(TJ) |