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FQPF9N50CF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥14.915724

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¥13.025306

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¥11.845161

+100:

¥9.801761

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 44W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQPF9N50CF_未分类
FQPF9N50CF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 9A TO220F

未分类

+596:

¥4.644882

+2977:

¥4.553604

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 44W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQPF9N50CF_未分类
FQPF9N50CF
授权代理品牌

FQPF9N50CF VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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¥4.662103

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¥4.390177

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¥4.195928

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¥4.079471

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FQPF9N50CF_未分类
FQPF9N50CF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 9A TO220F

未分类

+25:

¥14.788766

库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3 Full Pack

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 44W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220F-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

FQPF9N50CF_未分类
FQPF9N50CF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 9A TO220F

未分类

+596:

¥4.855814

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¥4.760403

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 44W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FQPF9N50CF
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MOSFET N-CH 500V 9A TO220F

未分类

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¥13.736085

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¥11.039571

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¥9.077221

+1000:

¥7.51539

库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3 Full Pack

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 44W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220F-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

FQPF9N50CF_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQPF9N50CF
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¥16.194299

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¥13.74406

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¥12.350954

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¥10.398175

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¥9.340921

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 44W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FQPF9N50CF
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¥13.826152

+250:

¥12.442985

库存: 1000 +

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品牌: onsemi

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系列: FRFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 44W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥15.418537

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¥13.86861

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¥11.146082

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¥9.164835

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¥7.588034

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 44W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
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¥8.283902

库存: 1000 +

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系列: FRFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 44W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQPF9N50CF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: FRFET®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 44W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)