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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥21.548576 +10：￥18.827686 +50：￥17.21045 +100：￥15.582287 +500：￥13.604451	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.76956	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+41：￥13.435974 +500：￥12.934723 +900：￥12.333106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP55N10 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP55N10 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.315135 +150：￥2.274965 +250：￥2.214537 +10950：￥2.113823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP55N10 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP55N10 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.814606 +1000：￥3.592111 +3000：￥3.433168 +8000：￥3.33778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+47：￥17.820796 +100：￥14.323489 +500：￥11.773734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.98758 +10：￥17.992835 +100：￥14.461659 +500：￥11.887362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.622226 +100：￥16.567455 +500：￥13.619635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.379112 +10：￥12.947888 +100：￥10.406464 +500：￥8.549753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.847056 +10：￥22.373908 +100：￥17.982335 +500：￥14.773945	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FQP55N10参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 27.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2730 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	155W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.76956	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+41：￥13.435974 +500：￥12.934723 +900：￥12.333106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP55N10 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP55N10 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.315135 +150：￥2.274965 +250：￥2.214537 +10950：￥2.113823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP55N10 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP55N10 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.814606 +1000：￥3.592111 +3000：￥3.433168 +8000：￥3.33778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+47：￥17.820796 +100：￥14.323489 +500：￥11.773734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.98758 +10：￥17.992835 +100：￥14.461659 +500：￥11.887362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP55N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.622226 +100：￥16.567455 +500：￥13.619635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 155W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）