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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT1N80TF-WS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.055732 +10：￥6.868903 +30：￥6.217723 +100：￥5.482519 +500：￥4.967876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 195 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT1N80TF-WS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.150374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 195 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT1N80TF-WS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.033171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 195 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQT1N80TF-WS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.973673	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 195 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT1N80TF-WS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.853579 +10：￥11.316449 +100：￥8.678154 +500：￥6.860101 +1000：￥5.488081	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： SOT-223-3
FQT1N80TF-WS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.853579 +10：￥11.316449 +100：￥8.678154 +500：￥6.860101 +1000：￥5.488081	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： SOT-223-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT1N80TF-WS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 下载数据手册未分类	+1：￥13.387167 +10：￥11.67962 +100：￥9.043168 +500：￥7.144376 +1000：￥5.723697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 4000

FQT1N80TF-WS参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 欧姆 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	195 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-3
封装/外壳:	TO-261-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）