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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8588 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.5A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1228 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），26W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8588 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.075673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.5A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1228 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），26W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC8588 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.077645	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.5A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1228 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），26W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC8588 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.900733	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power33
FDMC8588 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power33

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8588 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Reel 封装/外壳： Power-33-8 系列： FDMC8588 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 25 V Id-连续漏极电流： 17 A Rds On-漏源导通电阻： 5.7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压： 800 mV Qg-栅极电荷： 12 nC Pd-功率耗散： 2.4 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 高度： 0.8 mm 长度： 3.3 mm 产品类型： MOSFET 宽度： 3.3 mm 单位重量： 32.130 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

FDMC8588参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16.5A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1228 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.4W（Ta），26W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power33
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）