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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.2193 +30：￥3.10905 +100：￥2.88855 +500：￥2.66805 +1000：￥2.5578	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.3 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.433328 +200：￥4.350555 +800：￥3.193553 +2500：￥2.314125 +5000：￥2.198449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.3 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.852342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.3 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥10.5399 +10：￥9.034276 +30：￥7.904925 +100：￥6.65679 +500：￥6.32394	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.3 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS6679AZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS6679AZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥2.143815 +100：￥2.108086 +1000：￥2.054543 +3000：￥1.929435 +10000：￥1.893704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6679AZ UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDS6679AZ ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 下载数据手册未分类	+10：￥2.443993 +100：￥2.443993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6679AZ JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS6679AZ JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.200494 +12000：￥1.157704 +20000：￥1.125557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6679AZ UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDS6679AZ UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+3000：￥1.294826 +9000：￥1.261626 +15000：￥1.217358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.31525 +10：￥2.106878	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.3 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDS6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.326379 +5000：￥2.204492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.3 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS6679AZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.3 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	96 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3845 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥10.5399 +10：￥9.034276 +30：￥7.904925 +100：￥6.65679 +500：￥6.32394	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.3 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS6679AZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS6679AZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥2.143815 +100：￥2.108086 +1000：￥2.054543 +3000：￥1.929435 +10000：￥1.893704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6679AZ UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDS6679AZ ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 下载数据手册未分类	+10：￥2.443993 +100：￥2.443993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6679AZ JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS6679AZ JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.200494 +12000：￥1.157704 +20000：￥1.125557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6679AZ UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDS6679AZ UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+3000：￥1.294826 +9000：￥1.261626 +15000：￥1.217358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6679AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.31525 +10：￥2.106878	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.3 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）