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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.37602 +10：￥1.323507 +100：￥1.197459 +500：￥1.134428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.499143 +200：￥3.042545 +800：￥2.233418 +2500：￥1.618375 +5000：￥1.537426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.566298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS4435BZ null(华轩阳电子) 授权代理品牌	本款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，最大连续电流高达9A。适用于电池管理系统、电源切换及高功率应用场合，具备卓越的开关性能和低导通电阻，确保高效能与稳定性，是优化电子设备功耗的理想之选。下载数据手册未分类	+1：￥0.865634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS4435BZ null(芯伯乐) 授权代理品牌	1个P沟道耐压:30V 电流:11A 下载数据手册未分类	+1：￥0.409101 +30：￥0.398453	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS4435BZ UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDS4435BZ UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥0.737639 +1000：￥0.712634 +2000：￥0.687629	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS4435BZ TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS4435BZ TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.774798 +9000：￥0.76137 +15000：￥0.741112 +36000：￥0.707425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS4435BZ JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS4435BZ JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.836153 +12000：￥0.821566 +20000：￥0.799803 +32000：￥0.763454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.851617 +2686：￥2.523864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4435BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.742705 +5000：￥1.605182 +7500：￥1.535015 +12500：￥1.456153 +17500：￥1.410249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1845 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS4435BZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 8.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1845 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）