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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD8896 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	+987：￥2.802347 +4935：￥2.747156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD8896 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD8896 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.280203 +2500：￥2.201575 +7500：￥2.122948 +12500：￥2.064029	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	+20：￥7.954339 +100：￥6.202523 +500：￥5.125292 +1000：￥4.332281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD8896 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	+952：￥3.022106 +4756：￥2.962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD8896 UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDD8896 UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥1.048193 +7500：￥1.021316 +12500：￥0.985481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	+15：￥9.105308 +100：￥7.108596 +500：￥5.869701 +1000：￥4.702977 +2500：￥4.330158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 授权代理品牌	FDD8896 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.918373 +100：￥2.845327 +1000：￥2.675155 +2500：￥2.55349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 授权代理品牌	FDD8896 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.400263 +1000：￥1.332773 +1500：￥1.266905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	FDD8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.620271 +5000：￥2.495505 +12500：￥2.380292 +25000：￥2.375738	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDD8896参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），94A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.7 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2525 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	80W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD8896 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	+987：￥2.802347 +4935：￥2.747156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD8896 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD8896 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.280203 +2500：￥2.201575 +7500：￥2.122948 +12500：￥2.064029	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	+20：￥7.954339 +100：￥6.202523 +500：￥5.125292 +1000：￥4.332281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD8896 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	+952：￥3.022106 +4756：￥2.962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2525 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD8896 UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDD8896 UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥1.048193 +7500：￥1.021316 +12500：￥0.985481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA 下载数据手册未分类	+15：￥9.105308 +100：￥7.108596 +500：￥5.869701 +1000：￥4.702977 +2500：￥4.330158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 授权代理品牌	FDD8896 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.918373 +100：￥2.845327 +1000：￥2.675155 +2500：￥2.55349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8896 授权代理品牌	FDD8896 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.400263 +1000：￥1.332773 +1500：￥1.266905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数