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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMA11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+8000:

¥0.547775

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMA11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+8000:

¥1.340003

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

Mouser
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EMA11T2R_未分类
EMA11T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

未分类

+8000:

¥1.309724

+24000:

¥1.241509

+48000:

¥1.20058

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

EMA11T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线
供应商器件封装: EMT5
温度: