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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1PB-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+10：￥2.345472 +100：￥1.99368 +300：￥1.641888 +500：￥1.46592 +800：￥1.348704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA（SMP）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1PB-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥1.306727 +200：￥0.900285 +1500：￥0.820062 +3000：￥0.764843 +45000：￥0.759402	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA（SMP）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1PB-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥1.091896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA（SMP）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1PB-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥1.886794	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA（SMP）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES1PB-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.326915 +10：￥4.545635 +100：￥3.393836 +500：￥2.666773 +1000：￥2.06057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： eSMP® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA (SMP)
	ES1PB-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.326915 +10：￥4.545635 +100：￥3.393836 +500：￥2.666773 +1000：￥2.06057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： eSMP® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA (SMP)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1PB-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥6.015264 +10：￥5.081315 +100：￥3.609159 +500：￥2.928484 +1000：￥2.437764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA（SMP）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1PB-M3/84A 授权代理品牌	Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥1.959117 +6000：￥1.872109 +9000：￥1.853258 +24000：￥1.835856	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1PB-M3/84A VISHAY(威世) 授权代理品牌	Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMP T/R 下载数据手册未分类	+184：￥1.63629 +200：￥1.624023 +500：￥1.456052 +1000：￥1.395659 +2000：￥1.383391	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	ES1PB-M3/84A VISHAY(威世) 授权代理品牌	Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMP T/R 下载数据手册未分类	+371：￥1.996763 +500：￥1.925046 +1000：￥1.861822 +2500：￥1.807092 +5000：￥1.758022	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ES1PB-M3/84A参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	eSMP®
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	100 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	920 mV 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 100 V
不同 Vr、F 时电容:	10pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-220AA
供应商器件封装:	DO-220AA（SMP）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: