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搜索 CMZ24(TE12L,Q,M)4 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
CMZ24(TE12L,Q,M)_稳压二极管
CMZ24(TE12L,Q,M)
授权代理品牌

X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V

稳压二极管

+1:

¥3.32943

+200:

¥1.328537

+500:

¥1.284064

+1000:

¥1.262209

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 24 V

容差: ±10%

功率 - 最大值: 2 W

阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 17 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)

温度: -40°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
CMZ24(TE12L,Q,M)_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 24V 2W MFLAT

稳压二极管

+1:

¥3.575245

+10:

¥3.047709

+100:

¥2.273739

+500:

¥1.786523

+1000:

¥1.380469

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 24 V

容差: ±10%

功率 - 最大值: 2 W

阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 17 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
CMZ24(TE12L,Q,M)_稳压二极管
授权代理品牌

X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V

稳压二极管

+3000:

¥2.279069

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 24 V

容差: ±10%

功率 - 最大值: 2 W

阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 17 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
CMZ24(TE12L,Q,M)_二极管与整流器
CMZ24(TE12L,Q,M)
授权代理品牌

X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V

二极管与整流器

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 24 V

容差: ±10%

功率 - 最大值: 2 W

阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 17 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)

温度: -40°C # 150°C(TJ)

CMZ24(TE12L,Q,M)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 24 V
容差: ±10%
功率 - 最大值: 2 W
阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 17 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-128
供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)
温度: -40°C # 150°C(TJ)