品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 700 mA

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： S-FLAT（1.6x3.5）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 700 mA

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： S-FLAT（1.6x3.5）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 700 mA

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： S-FLAT（1.6x3.5）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：