BSC160N10NS3GATMA1厂家价格_数据手册

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	BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.324809	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-1 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 下载数据手册未分类	+5000：￥4.587914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-1 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 下载数据手册未分类	+1：￥22.122484 +10：￥10.817575 +50：￥9.843015 +100：￥8.020591 +200：￥7.504096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-1 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥3.956762 +10000：￥3.774166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-1 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥6.83727 +10000：￥6.521747	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-1 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.416903 +10：￥14.198562 +100：￥11.044589 +500：￥9.361964 +1000：￥7.626205	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-1
BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.416903 +10：￥14.198562 +100：￥11.044589 +500：￥9.361964 +1000：￥7.626205	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-1

Mouser

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	BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 下载数据手册未分类	+1：￥22.176921 +10：￥19.863991 +100：￥15.510239 +500：￥12.80275 +1000：￥9.904785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-1 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BSC160N10NS3GATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥5.983212	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BSC160N10NS3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.8A（Ta），42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1700 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	60W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-1
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）