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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BUK7M12-40EX Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V MLFPAK 下载数据手册未分类	+1：￥8.424925 +200：￥3.267254 +500：￥3.147054 +1500：￥3.092417	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 979 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK33 封装/外壳： SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BUK7M12-40EX Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V MLFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥2.628196 +3000：￥2.381812 +7500：￥2.217532 +10500：￥2.135427	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 979 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK33 封装/外壳： SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
BUK7M12-40EX Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V MLFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥4.541514 +3000：￥4.115762 +7500：￥3.831888 +10500：￥3.690011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 979 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK33 封装/外壳： SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）温度： -55°C # 175°C（TJ）
BUK7M12-40EX Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V MLFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.691851 +10：￥9.370386 +100：￥7.18156 +500：￥5.676774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-1210, 8-LFPAK33 供应商器件封装： LFPAK33
BUK7M12-40EX Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V MLFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.691851 +10：￥9.370386 +100：￥7.18156 +500：￥5.676774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-1210, 8-LFPAK33 供应商器件封装： LFPAK33

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BUK7M12-40EX Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V MLFPAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.746555 +10：￥12.198092 +100：￥9.369779 +500：￥7.410499 +800：￥5.925239	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 979 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK33 封装/外壳： SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BUK7M12-40EX 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥2.120385	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	BUK7M12-40EX 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥4.098201 +3000：￥4.085621 +7500：￥3.83123 +10500：￥3.769728	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BUK7M12-40EX参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	979 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	55W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LFPAK33
封装/外壳:	SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）