BSP322PH6327XTSA1厂家价格_数据手册

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	BSP322PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.331009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 380µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 372 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	BSP322PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 380µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 372 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	BSP322PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.89209 +2000：￥2.620976 +5000：￥2.440234 +10000：￥2.349863 +25000：￥2.289569	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 380µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 372 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
BSP322PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.997522 +2000：￥4.529039 +5000：￥4.216716 +10000：￥4.060555 +25000：￥3.956368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 380µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 372 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSP322PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.73605 +10：￥10.310959 +100：￥7.902673 +500：￥6.246934	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SIPMOS® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： PG-SOT223-4
BSP322PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.73605 +10：￥10.310959 +100：￥7.902673 +500：￥6.246934	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SIPMOS® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： PG-SOT223-4

Mouser

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	BSP322PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 下载数据手册未分类	+1：￥15.435962 +10：￥13.561595 +100：￥10.395648 +500：￥8.222013 +1000：￥6.58391	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 380µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 372 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

BSP322PH6327XTSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SIPMOS®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	800 毫欧 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 380µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	372 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）