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BUK7Y20-30B,115_null
BUK7Y20-30B,115
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 39.5A LFPAK

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¥1.655216

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¥0.640571

+500:

¥0.61808

+1000:

¥0.606941

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 688 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 59W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8

封装/外壳: SC-100,SOT-669

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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BUK7Y20-30B,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 688 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 59W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8

封装/外壳: SC-100,SOT-669

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

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系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 688 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 59W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8

封装/外壳: SC-100,SOT-669

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-100, SOT-669

供应商器件封装: LFPAK56, Power-SO8

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-100, SOT-669

供应商器件封装: LFPAK56, Power-SO8

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BUK7Y20-30B,115_晶体管
BUK7Y20-30B,115
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MOSFET N-CH 30V 39.5A LFPAK

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 688 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 59W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8

封装/外壳: SC-100,SOT-669

温度: -55°C # 175°C(TJ)

BUK7Y20-30B,115参数规格

属性 参数值
品牌: Nexperia USA Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 688 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 59W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳: SC-100,SOT-669
温度: -55°C # 175°C(TJ)