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BSH205G2R_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 418 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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BSH205G2R_晶体管-FET,MOSFET-单个
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MOS场效应管 BSH205G2R SOT-23

晶体管-FET,MOSFET-单个

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 418 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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BSH205G2R_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 418 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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库存: 1000 +

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品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 418 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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BSH205G2R_null
BSH205G2R
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MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB

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国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

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FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 418 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 418 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSH205G2R_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: TO-236AB

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¥6.063539

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¥4.571909

+100:

¥2.845013

+500:

¥1.94664

+1000:

¥1.497452

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: TO-236AB

Mouser
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BSH205G2R_未分类
BSH205G2R
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MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB

未分类

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货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 418 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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BSH205G2R参数规格

属性 参数值
品牌: Nexperia USA Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
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系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 418 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 480mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)