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BS170-D27Z_未分类
BS170-D27Z
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92

未分类

+5:

¥1.796115

+50:

¥1.453327

+150:

¥1.306464

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 500mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 40 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 830mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-92-3

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BS170-D27Z_晶体管-FET,MOSFET-单个
BS170-D27Z
授权代理品牌
+100:

¥2.128375

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¥1.553732

+1000:

¥1.191866

+2000:

¥1.042898

+4000:

¥0.883255

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 500mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 40 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 830mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-92-3

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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BS170-D27Z_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥2.916867

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¥2.219319

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¥1.382678

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¥0.945798

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¥0.727566

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 500mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 40 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 830mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-92-3

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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BS170-D27Z_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 500mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 40 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 830mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-92-3

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BS170-D27Z_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供应商器件封装: TO-92-3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BS170-D27Z_未分类
BS170-D27Z
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92

未分类

+1:

¥6.763615

+10:

¥4.895569

+100:

¥2.190123

+1000:

¥1.690905

+2000:

¥1.417139

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

標準包裝數量: 2000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BS170-D27Z_未分类
BS170-D27Z
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

未分类

+2000:

¥1.388152

+6000:

¥1.278646

+12000:

¥1.264153

+18000:

¥1.183634

+30000:

¥1.004881

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

BS170-D27Z参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 500mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 40 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 830mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92-3
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
温度: -55°C # 150°C(TJ)