BSC010N04LSATMA1厂家价格_数据手册

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	BSC010N04LSATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.002147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1mOhm 50A， 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 FL 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	BSC010N04LSATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥10.3237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1mOhm 50A， 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 FL 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	BSC010N04LSATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1mOhm 50A， 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 FL 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	BSC010N04LSATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥6.712216 +10000：￥6.48997	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1mOhm 50A， 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 FL 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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BSC010N04LSATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥11.598688 +10000：￥11.214647	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1mOhm 50A， 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 FL 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSC010N04LSATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.790545 +10：￥22.205002 +100：￥17.669299 +500：￥14.951368 +1000：￥12.686009	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8 FL
BSC010N04LSATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.790545 +10：￥22.205002 +100：￥17.669299 +500：￥14.951368 +1000：￥12.686009	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8 FL

Mouser

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	BSC010N04LSATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 下载数据手册晶体管	+1：￥34.062139 +10：￥28.200283 +100：￥22.496855 +250：￥21.546283 +500：￥18.852998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1mOhm 50A， 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 FL 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥14.347291 +10000：￥14.192031	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BSC010N04LSATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥20.139894 +10：￥12.799186 +50：￥10.352284 +100：￥9.693501 +500：￥9.04413	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BSC010N04LSATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	38A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1mOhm 50A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6800 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），139W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8 FL
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）