锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 BSS138BK,21517 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BSS138BK,215_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥0.635795

+100:

¥0.594776

+300:

¥0.553757

+500:

¥0.512738

+2000:

¥0.492228

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BSS138BK,215_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOS场效应管 BSS138BK,215 SB SOT-23

晶体管-FET,MOSFET-单个

+20:

¥0.784224

+100:

¥0.677664

+300:

¥0.448848

+800:

¥0.370224

+3000:

¥0.268848

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BSS138BK,215_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+10:

¥0.390968

+100:

¥0.316882

+300:

¥0.279838

+3000:

¥0.246145

+6000:

¥0.22392

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BSS138BK,215_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥0.281083

+100:

¥0.260876

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BSS138BK,215_晶体管-FET,MOSFET-单个
BSS138BK,215
授权代理品牌
+30000:

¥0.492552

+75000:

¥0.474145

+120000:

¥0.449358

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSS138BK,215_晶体管-FET,MOSFET-单个
BSS138BK,215
授权代理品牌
+9000:

¥0.429016

+30000:

¥0.408642

+60000:

¥0.396834

+120000:

¥0.375997

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSS138BK,215_晶体管-FET,MOSFET-单个
BSS138BK,215
授权代理品牌
+5:

¥0.24889

+50:

¥0.222264

+150:

¥0.217634

+300:

¥0.209531

+1000:

¥0.203742

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSS138BK,215_晶体管-FET,MOSFET-单个
BSS138BK,215
授权代理品牌
+3000:

¥0.25954

+6000:

¥0.252941

+9000:

¥0.246343

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSS138BK,215_晶体管-FET,MOSFET-单个
BSS138BK,215
授权代理品牌
+3000:

¥0.22759

+6000:

¥0.219718

+9000:

¥0.215897

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BSS138BK,215_null
BSS138BK,215
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB

+540:

¥0.565056

+1000:

¥0.418522

+1500:

¥0.343008

+3000:

¥0.30361

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-236AB

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSS138BK,215参数规格

属性 参数值
品牌: Nexperia USA Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 350mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 350mW(Ta),1.14W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)