BSS123NH6433XTMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BSS123NH6433XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.954755 +50：￥0.786393 +150：￥0.702211 +500：￥0.621272 +2500：￥0.570763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20.9 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BSS123NH6433XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.509894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20.9 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BSS123NH6433XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+5：￥3.829305 +100：￥2.145863 +500：￥1.412402 +1000：￥1.032655 +2500：￥0.906521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20.9 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
BSS123NH6433XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.773189 +30000：￥0.758734 +50000：￥0.628271	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20.9 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSS123NH6433XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.233502 +10：￥3.638531 +100：￥1.83671 +500：￥1.498277 +1000：￥1.111496	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
BSS123NH6433XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.233502 +10：￥3.638531 +100：￥1.83671 +500：￥1.498277 +1000：￥1.111496	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BSS123NH6433XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.812428 +10：￥4.626115 +100：￥2.202158 +1000：￥1.410015 +2500：￥1.219901	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20.9 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BSS123NH6433XTMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 下载数据手册未分类	+1：￥5.211353 +10：￥4.309192 +25：￥3.62651 +100：￥2.494661 +250：￥2.064635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BSS123NH6433XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 欧姆 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	20.9 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）