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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BCV28H6327XTSA1_双极性晶体管
BCV28H6327XTSA1
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT89

双极性晶体管

+1:

¥2.232878

+200:

¥0.864129

+500:

¥0.833751

+1000:

¥0.81878

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100µA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20000 100mA,5V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PG-SOT89

温度: 150°C(TJ)

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BCV28H6327XTSA1_未分类
BCV28H6327XTSA1
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT89

未分类

+7003:

¥1.197782

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100µA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20000 100mA,5V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PG-SOT89

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BCV28H6327XTSA1_双极性晶体管
BCV28H6327XTSA1
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT89

双极性晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100µA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20000 100mA,5V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PG-SOT89

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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BCV28H6327XTSA1_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT89

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100µA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20000 100mA,5V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PG-SOT89

温度: 150°C(TJ)

BCV28H6327XTSA1_未分类
BCV28H6327XTSA1
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT89

未分类

+1265:

¥2.990573

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-243AA

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP - Darlington

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA

Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V

Frequency - Transition: 200MHz

Supplier Device Package: PG-SOT89

Part Status: Not For New Designs

Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V

Power - Max: 1 W

Mouser
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BCV28H6327XTSA1_未分类
BCV28H6327XTSA1
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT89

未分类

+5000:

¥3.692187

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100µA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20000 100mA,5V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PG-SOT89

温度: 150°C(TJ)

BCV28H6327XTSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 不适用于新设计
晶体管类型: PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20000 100mA,5V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PG-SOT89
温度: 150°C(TJ)