BTS282ZE3180AATMA2厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥83.593616 +10：￥80.206162 +30：￥74.338218	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TEMPFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 49 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 232 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能：温度检测二极管功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-1 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -40°C # 175°C（TJ）

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	BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.16764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TEMPFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 49 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 232 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能：温度检测二极管功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-1 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥26.559002 +2000：￥25.575371	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TEMPFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 49 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 232 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能：温度检测二极管功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-1 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥45.893867 +2000：￥44.194156	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TEMPFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 49 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 232 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能：温度检测二极管功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-1 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -40°C # 175°C（TJ）
BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥80.93862 +10：￥73.095084 +100：￥60.51205 +500：￥52.693068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TEMPFET® 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： PG-TO263-7-1
BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥80.93862 +10：￥73.095084 +100：￥60.51205 +500：￥52.693068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TEMPFET® 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： PG-TO263-7-1

Mouser

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	BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥108.560954 +10：￥93.029607 +25：￥84.313033 +100：￥77.498257 +250：￥72.902246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TEMPFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 49 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 232 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能：温度检测二极管功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-1 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -40°C # 175°C（TJ）

BTS282ZE3180AATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TEMPFET®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	49 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 毫欧 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	232 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4800 pF 25 V
FET 功能:	温度检测二极管
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-7-1
封装/外壳:	TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
温度:	-40°C # 175°C（TJ）