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BSC028N06LS3GATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥10.717333

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 93µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 175 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13000 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),139W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8-1

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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BSC028N06LS3GATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥18.828792

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¥13.130567

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¥11.074001

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 93µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 175 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13000 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),139W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8-1

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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BSC028N06LS3GATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥24.465331

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 93µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 175 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13000 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),139W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8-1

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥38.88216

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¥34.937593

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¥28.624032

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货期:7~10 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-1

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货期:7~10 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-1

Mouser
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BSC028N06LS3GATMA1
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MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON

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¥46.938883

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¥42.176967

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¥34.557903

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¥29.523878

+1000:

¥26.802783

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 93µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 175 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13000 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),139W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8-1

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSC028N06LS3GATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 93µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 175 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13000 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),139W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-1
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)