搜索 BSC035N04LSGATMA1 共 13 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BSC035N04LSGATMA1 授权代理品牌 | +5000: ¥7.168032 +10000: ¥7.168032 +15000: ¥7.168032 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BSC035N04LSGATMA1 授权代理品牌 | +12: ¥14.454156 +100: ¥11.277873 +500: ¥9.313784 +1000: ¥8.178343 | ||||
BSC035N04LSGATMA1 授权代理品牌 | +5000: ¥4.081323 +15000: ¥4.013254 +25000: ¥3.945302 +30000: ¥3.877233 | ||||
BSC035N04LSGATMA1 授权代理品牌 | +100: ¥4.07484 +500: ¥3.820163 +1000: ¥3.629155 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BSC035N04LSGATMA1 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BSC035N04LSGATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥18.4924 +10: ¥14.224922 +100: ¥11.58541 +500: ¥10.020669 +1000: ¥7.68146 |
BSC035N04LSGATMA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | OptiMOS™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 21A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.5 毫欧 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 36µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 64 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5100 pF 20 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),69W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TDSON-8-1 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |