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BSS138BKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
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MOS场效应管 BSS138BKW,115 SOT-323

晶体管-FET,MOSFET-单个

+20:

¥1.045872

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¥0.903744

+300:

¥0.598608

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¥0.493776

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¥0.358416

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 320mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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BSS138BKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
BSS138BKW,115
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¥0.478164

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¥0.388915

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¥0.344289

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 320mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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BSS138BKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥0.293425

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 320mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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BSS138BKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
BSS138BKW,115
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+3000:

¥0.352909

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 320mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSS138BKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
BSS138BKW,115
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+60000:

¥0.488256

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¥0.46347

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 320mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSS138BKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
BSS138BKW,115
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+9000:

¥0.610069

+30000:

¥0.580897

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¥0.562375

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¥0.534012

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

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系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 320mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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BSS138BKW,115_null
BSS138BKW,115
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MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323

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¥0.953856

+100:

¥0.706579

+1000:

¥0.523411

+1500:

¥0.429062

+3000:

¥0.379642

库存: 1000 +

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品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 320mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥2.316826

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

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FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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¥0.761644

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+30000:

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货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

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FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

BSS138BKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥1.495396

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¥1.220222

+1000:

¥0.90533

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SC-70

BSS138BKW,115参数规格

属性 参数值
品牌: Nexperia USA Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 320mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70,SOT-323
温度: -55°C # 150°C(TJ)